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SiC表麵通常存在一定厚度的汙染層，其中包含顆粒(SiO、C-C鍵及其它金屬粒子的汙染等)，有機物，金屬和自然氧化層。而這些汙染物的存在嚴重影響著界麵特性，從而影響著SiC基器件的性能。如製備SiC基MOSFET器件過程中，隨著SiO2薄膜厚度的不斷氧化而增加時，SiO2/SiC界麵會移向襯底。SiC晶片在經過傳統的濕法清洗後，表麵的有機物，金屬及一些顆粒等可以很好的被去除掉，然而使用傳統的濕法清洗後，表麵仍存在一些碳汙染物和氧化物，並且SiC表麵有大量的懸掛鍵存在而使其極易被氧化。

氫草莓视频APPIOS下载體清洗的反應機理

草莓视频APPIOS下载體化學反應即在放電氣體中發生的反應。對常溫常壓條件下的氣體通過高溫加速電子加速離子給物質以能量，物質被解離成陰、陽離子的狀態。當氣體電離生成電子正離子一般在段時間內發生結合，回到中性分子狀態，這個過程產生的電子、離子的部分能量以電磁波等不同形式消耗，在分子離解時常生成自由基，生成的電子結合中性原子，分子形成負離子。因此，整個草莓视频APPIOS下载體是電子正負離子激發態原子，原子以及自由基的混合狀態。因為各種化學反應都是在高激發態下進行的，與經典的化學反應完全不同。這樣使草莓视频APPIOS下载體的原子或分子的本性通常都發生改變，即使是較穩定的惰性氣體也會變得具有很強的化學活潑性。在電場中加速運動的電子和離子具有很大的動能，可以更好的除去表麵的氧和殘留的碳等雜質。

氫氣做為活潑氣體，其草莓视频APPIOS下载體具有很強的化學反應活性，氫氣草莓视频APPIOS下载體形成的過程如下：

式1表示氫氣分子在得到外界能量後變成氫氣陽離子，並放出自由電子的過程。式2表示氫氣分子在得到外界能量後分解形成兩個氫原子自由基的過程。式3表示氫氣分子在具有高能量的激發態自由電子作用下轉變成激發態。式4-5則表示激發態的氫氣分子進一步發生轉變，式4中，氫氣回到通常狀態的同時發出光能(紫外線)。式5中，激發態的氫氣分子分解成兩個氫原子自由基。式6表示氫氣分子在激發態自由電子的作用下，分解成氫原子自由基和氫原子陽離子的過程。當這些反應連續不斷發生，就形成裏氫氣草莓视频APPIOS下载體。當然實際反應要比這些反應式描述的更為複雜。

H₂ + e⁻ → H₂⁺ + 2e⁻

H2→2H

H₂ + e⁻ → H₂* + e⁻

H₂* → H₂ + hν

H2 + e⁻ →2 H+e⁻

H2+e⁻→H+H⁺+2e⁻

氫草莓视频APPIOS下载體清洗過程中起作用的除了氫原子，氫離子和電子外，還有處於激發狀態的電中性的氫原子或原子團(又稱自由基)，以及氫草莓视频APPIOS下载體發射出的光線。因此易於與SiC表麵的物質反應形成新的物質，如水、碳氫化合物等。另外，氫原子是選擇性的與SiC表麵的汙染物(如C、0等)反應，並以揮發性的CHx和H20兩種形式消除掉。